法国原子能委员会下属的电子与信息技术实验室 (CEA-Leti) 于本月 15 日在 IEEE VLSI 2026 研讨会上公布了一项突破性的 FeRAM 电容器技术。

这项创新使得 FeRAM 在 22nm 制程下能达到标准 SRAM 存储密度的 2.5 倍，其密度水平已接近 10nm SRAM。作为一种非易失性存储器，FeRAM 的优势在于无需像 DRAM 那样进行频繁的数据刷新，从而有效降低了终端设备的功耗。

CEA-Leti 指出，FeRAM 的整体尺寸主要由电容器而非选择晶体管决定。传统的平面电容器设计限制了 FeRAM 器件的进一步小型化。为了克服这一瓶颈，CEA-Leti 采用了三维设计思路，通过构建垂直电容器来显著减小占用的芯片面积。

在 VLSI 2026 研讨会上，CEA-Leti 展示了两种 22nm 3D 铁电电容器的后端集成方案。其中，采用 4:1 低深宽比设计的方案，其位单元面积为 0.047μm²。而采用 17:1 高深宽比设计的方案，则将位单元面积进一步压缩至 0.0028μm²，并且该方案有效解决了早期循环中常见的“唤醒”不稳定现象。